IGBT模塊的原理和量測及判斷 
      在拆機前，可對模塊的好壞進行大致的量測，來進行初步的判斷。以上圖為例：4、5、6端子即為變頻器的U、V、W輸出端，22、24分別為變頻器內部直流主電路的P（+）端和N（-）端。找到這5個端子后，用數字或指針式萬用表都可以量測了。U、V、W三端子都對P、N端子有正、反向電阻。在IGBT管子正常的情況下，管子C、E之間電阻是無窮大的。只能測出管子上并聯的6只二極管的正、反向電阻。如果把4、5、6端子看成三相交流輸入端的話，六只二極管相當于一個三相整流橋電路，用量測和判斷三相整流橋的方法就可以了。
一、在線量測：
1、量測這個“三相整流橋”不正常了，則為模塊損壞了；
2、量測這個“三相整流橋”是正常的，還不能確定模塊就是好的。應打開變頻器的主電路板，進行進一步的量測和驗定。即量測觸發端子及內電路是否正常。因觸發端子上往往并聯了10k（大功率機型并聯3k）左右的電阻，所以觸發端子的正反向在線在阻都應為所并聯電阻的阻值。這6個觸發端子的阻值都應是一樣的。如某一路觸發端子有了正反向電阻的差異，或是有電阻變小的現象，排除驅動電路的故障后，則是此模塊已損壞了。
3、觸發端子的電阻量測也正常了，一般情況下認為模塊基本上是好的。但此時宣布模塊絕無問題，似乎尚為時過早。見后敘。
二、脫機量測：
1、此法常用于大功率單、雙模塊和新購進集成式模塊的的量測。
將單、雙管模塊脫開電路后（或為新購進的模塊），可采用量測場效應管子（MOSFET）方法來測試了。MOSFET的柵陰極間有一個結電容的存在，故由此決定了極高的輸入阻抗和電荷保持功能。可利用此一特點有效地檢測IGBT管子的好壞。
方法是：將指針式萬用表打到x10k檔，黑表接C極，紅表筆接E極，此時所量測電阻值近乎無窮大；搭好表筆不動，用手指將C極與G極碰一下并拿開，指示由無窮大阻值降為200k左右；過幾十秒鐘甚至于更長一點的時間，再測一下C、E間電阻（仍是黑表筆接C極），仍能保護200k左右的電阻不變；搭好表筆不動，用手指短接一下G、E極，C、E極之間的電阻又重新變為接近無窮大。
（當然，E極搭黑筆，C極搭紅筆，是一只二極管的正向電阻的阻值了。如呈開路狀態，說明IGBT管子也是壞的了。以下將此一量測過程略去。）
實際上，用手指碰一下C、G，是給柵、陰結電容充電，拿開手指后，因此電容無放電回路，故電容上的電荷能保持一段時間。此電容上的充電電壓，為正向激勵電壓，使IGBT管子出現微導通，C、E之間的電阻減小；**次用手指短接G、E時，提供了電容的放電通路，隨著電荷的泄放，IGBT的激勵電壓消失，管子變為截止，C、E之間的電阻又趨于無窮大。
手指相當于一只阻值為kΩ級的電阻，提供柵陰極結電容充、放電的通路；因IGBT管子的導通需較高的正向激勵電壓（10V以上），所以用萬表的x10k檔，此檔位內部電池供電為9V或12V，以滿足IGBT管子激勵電壓的幅度。
      對觸發端子的量測，還可以配合電容表測其容量，以增加判斷的準確度。往往功率容量大的模塊，兩端子間的電容值也稍大。