聯(lián)系我們

聯(lián)系人：王先生郭先生李小姐

服務(wù)專(zhuān)線：13522816641

電話：010-62842129 82176483

傳真：010-62561983
QQ： 871252939

MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.gylinze.com 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)

文章詳情

IGBT模塊的輸出特性與轉(zhuǎn)移特性

日期：2025-12-16 05:37

瀏覽次數(shù)：2042

摘要：

IGBT模塊的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開(kāi)關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT模塊與MOSFET的對(duì)比

MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、**工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

IGBT模塊全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極*大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

傳統(tǒng)與新型IGBT保護(hù)模式對(duì)比

在傳統(tǒng)的使用和設(shè)計(jì)IGBT的過(guò)程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式，所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無(wú)法抵抗來(lái)自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問(wèn)題。那么該如何突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)來(lái)解決上述問(wèn)題呢?

尊敬的客戶(hù)：

您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開(kāi)發(fā)群體，為廣大用戶(hù)提供高品質(zhì)產(chǎn)品、完整的解決方案和上等的技術(shù)服務(wù)公司。主要產(chǎn)品有西門(mén)康IGBT ABB可控硅 BUSSMANN FERRAZ熔斷器等。本企業(yè)堅(jiān)持以誠(chéng)信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進(jìn)取興業(yè)的宗旨，以更堅(jiān)定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動(dòng)化行業(yè)作出貢獻(xiàn)，歡迎新老顧客放心選購(gòu)自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！

下一篇： IGBT模塊的檢測(cè)
上一篇： IGBT模塊的發(fā)展歷史

京公網(wǎng)安備 11010802026078號(hào)